最新消息
最新消息| 半導體行業深度研究報告 | 2024-12-10 |
| 文章来源：由「百度新聞」平台非商業用途取用"http://www.baidu.com/link?url=OJZHlT8RIl_w-ysorh1dR5mHvGyVWNTeITg33mxlh1-4HJWOhXkMn0USdK2-hGzz4tRviZZjuP3t8GSgBDIzE-PRtcHdkCvDBgzvGU-2Fle" 文章大綱nn下游應用驅動，GaAs、GaN和SiC各領風騷nn產業化正循環，“奇點時刻”加速到來nnGaAs代工比例提高，打造本土產業鏈閉環nnCree引領SiC產業，全球供需即將失衡nn半導體nn下游應用驅動nnGaAs、GaN和SiC各領風騷nn化合物半導體具有物理特性優勢nn化合物半導體物理特性具有獨特優勢。半導體材料領域共經歷三個發展階段：第一階段是以硅、鍺為代表的IV族半導體；第二階段是以GaAs和InP為代表的III-V族化合物半導體，其中GaAs技術發展成熟，主要用于通訊領域；第三階段主要是以SiC、GaN為代表的寬禁帶半導體材料。硅材料技術成熟，成本低，但是物理性質限制了其在光電子、高頻高功率器件和耐高溫器件上的應用。相比硅材料，化合物半導體材料在電子遷移速率、臨界擊穿電場、導熱能力等特性上具有獨特優勢。nn硅材料主導，化合物半導體在射頻、功率等領域需求快速增長。目前全球95%以上的芯片和器件是以硅作為基底材料，由于硅材料極大的成本優勢，未來在各類分立器件和集成電路領域硅仍將占據主導地位。但是化合物半導體材料獨特的物理特性優勢，賦予其在射頻、光電子、功率器件等領域的獨特性能優勢。nnGaAs主導sub-6G 5G手機射頻nn具體而言，GaAs在5G手機射頻和光電子領域占據主導地位。GaAs是最為成熟的化合物半導體，具有較高的飽和電子速率及電子遷移率，使得其適合應用于高頻場景，在高頻操作時具有較低的噪聲；同時因為GaAs有比Si更高的擊穿電壓，所以砷化鎵更適合應用在高功率場合。因為這些特性，砷化鎵在sub-6G的5G時代，仍然將是功率放大器及射頻開關等手機射頻器件的主要材料。根據Qorvo報告，5G手機中射頻開關從4G手機的10個增加至30個、功率放大器平均單機價值從4G手機的3.25美元增加至7.5美元，這些都帶動砷化鎵器件市場規模的增長。GaAs的另一個優點是直接能隙材料，所以可以制作VCSEL激光器等光電子器件，在數據中心光模塊、手機前置VCSEL3D感應、后置LiDAR激光雷達等應用帶動下，光電子器件是砷化鎵器件增長的另外一個重要驅動因素。nnGaN在5G宏基站射頻PA的大發展nn相較于Si和GaAs的前兩代半導體材料，GaN和SiC同屬于寬禁帶半導體材料，具有擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小等特點，具有低損耗和高開關頻 關鍵字標籤：電源測試 |
|
 |
|
